11/03/2026
x
+
aa
-

Samsung ra mắt Galaxy S24 tại Mỹ vào tháng 1/2024

Samsung có thể ra mắt dòng Galaxy S24 sớm hơn khung thời gian ra mắt thông thường dành cho dòng Galaxy S nếu báo cáo đến từ Seoul Economic Daily là chính xác.

Theo SamMobile, Samsung đang có kế hoạch tổ chức sự kiện Galaxy Unpacked để ra mắt Galaxy S24 tại San Francisco (Mỹ) vào tháng 1.2024. San Francisco vốn là địa điểm truyền thống để Samsung ra mắt dòng Galaxy S mới mỗi năm.

Samsung đẩy nhanh lịch ra mắt Galaxy S24 series trước sức ép của iPhone 15 series

Một số báo cáo gần đây cho biết Samsung sẽ đưa chip Exynos trở lại với các điện thoại cao cấp của mình khi ra mắt Galaxy S24. Cụ thể, Galaxy S24 và S24+ có thể sử dụng chip Exynos 2400 ở hầu hết các nơi trên thế giới, trong khi Canada, Trung Quốc và Mỹ sẽ nhận được phiên bản sử dụng chip Snapdragon 8 Gen3. Riêng Galaxy S24 Ultra được cho là sử dụng độc quyền chip Snapdragon 8 Gen3 cho Galaxy.

Nói về Exynos 2400. Được ra mắt vào tuần trước tại sự kiện SLSI Tech Days 2023, Exynos 2400 đi kèm CPU nhanh hơn 70%, GPU Xclipse 940 dựa trên AMD RDNA3 và khả năng xử lý AI nhanh hơn 14,7 lần.

Với Galaxy S24 Ultra, điện thoại này được cho là sẽ mang đến một số cải tiến như khung titan, màn hình LTPO Dynamic AMOLED 2X cho tất cả mẫu trong dòng sản phẩm và camera nâng cấp. Galaxy S24 có thể trang bị màn hình độ phân giải Full HD+, trong khi Galaxy S24+ có màn hình Quad HD+. Cả ba điện thoại dự kiến đạt độ sáng lên đến 2.400 nit, chạy One UI 6.1 dựa trên Android 14 và nhận được ít nhất 4 bản cập nhật hệ điều hành Android lớn.

Về khả năng camera, Galaxy S24/S24+ có thể đi kèm camera chính 50 MP ở mặt sau, kết hợp các camera siêu rộng 12 MP và camera tele 10 MP với zoom quang 3x. Đối với Galaxy S24 Ultra cao cấp hơn, sản phẩm có thể có camera chính 200 MP ở phía sau, kết hợp camera siêu rộng 12 MP, camera tele 10 MP với zoom quang 3x và camera tele 50 MP với zoom quang 5x. Cả ba sản phẩm đều có camera selfie 12 MP ở mặt trước.

Cuối cùng, Galaxy S24 có thể đi kèm pin 4.000 mAh, trong khi Galaxy S24+ là pin 4.900 mAh và Galaxy S24 Ultra có pin 5.000 mAh. Galaxy S24+/S24 Ultra sẽ có sạc nhanh 45W, còn Galaxy S24 có sạc nhanh 25W. Tất cả đều hỗ trợ sạc nhanh siêu tốc 15W và sạc ngược không dây 4,5W. Chúng có thể hỗ trợ liên lạc vệ tinh hai chiều để nhắn tin khẩn cấp. Riêng mẫu Ultra có thêm hỗ trợ S Pen./.

Theo thanhnien.vn

Nguồn: https://thanhnien.vn/samsung-ra-mat-galaxy-s24-tai-my-vao-thang-12024-185231013114535004.htm

Other news

Tổng đài ảo Buss Call - Giải pháp công nghệ hỗ trợ doanh nghiệp tối ưu hoạt động liên lạc 
Hiện nay, việc ứng dụng các giải pháp công nghệ vào hoạt động quản lý và chăm sóc khách hàng đang trở thành yêu cầu thiết yếu đối với nhiều doanh nghiệp. Đặc biệt, các hệ thống liên lạc hiện đại giúp doanh nghiệp nâng cao hiệu quả vận hành, tiết kiệm chi phí...
Galaxy S26 Ultra được đồn giảm banding/gradient khi chụp bầu trời: Cải tiến xử lý ảnh hay đổi phần cứng? 
Nếu bạn từng chụp bầu trời xanh, hoàng hôn hoặc những mảng màu chuyển nhẹ trên Galaxy Ultra đời gần đây, đôi lúc bạn sẽ thấy hiện tượng “bậc thang” trên vùng chuyển màu: các dải màu không mịn mà thành từng lớp rõ rệt.
VinSmart Future ra mắt kỹ thuật phiên bản trải nghiệm sớm siêu ứng dụng “một chạm” V-App 
Ngày 29/01/2026, VinSmart Future - công ty công nghệ trụ cột của Tập đoàn Vingroup ra mắt kỹ thuật phiên bản trải nghiệm sớm siêu ứng dụng V-App, tích hợp toàn diện các dịch vụ, sản phẩm và chương trình khách hàng thân thiết của hệ sinh thái chỉ với thao tác “một chạm”.
Nâng cao hiệu suất website với BizFly CDN - Giải pháp tối ưu tốc độ trang web thời 4.0 
Một trang web tải chậm không chỉ gây mất lòng tin từ khách hàng mà còn ảnh hưởng trực tiếp đến các chỉ số quan trọng như lượt truy cập, tỷ lệ chuyển đổi, doanh số bán hàng và hình ảnh thương hiệu. Để giải quyết vấn đề này, Bizfly CDN ra đời như một giải pháp...
Vật liệu cách nhiệt mới giúp tiết kiệm năng lượng 
Nhóm nghiên cứu từ Đại học Colorado Boulder (Mỹ) vừa tạo ra một loại vật liệu cách nhiệt mỏng gọi là Vật liệu cách nhiệt trong suốt quang học có cấu trúc xốp (MOCHI).
Top